11月12日，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛在厦门开幕，探花av-探花视频-国产探花 “低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术”入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”。

徐现刚教授带领团队自主研制出整套全国产化的12英寸碳化硅（SiC）单晶生长技术、激光剥离技术和相关核心装备。采用物理气相传输法（PVT）扩径获得低应力12英寸4H-SiC籽晶，并生长出12英寸低位错密度导电型晶体和光学级晶体；通过精准深度补偿技术实现两种12英寸SiC晶体的激光剥离。在国际期刊首次报道低缺陷12英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。对12英寸SiC衬底的晶型、面型、微管、电阻率、结晶质量、位错密度等关键指标进行了系统表征。4H-SiC晶型面积比例为100%，总厚度偏差（TTV）≤5μm，平均微管密度小于0.01 cm^-2，平均电阻率为22.8mΩ·cm，（004）面高分辨X射线摇摆曲线半峰宽20.8弧秒，螺位错（TSD）密度为2 cm^-2。以上测试结果表明：团队实现了高质量12英寸导电型4H-SiC单晶生长和衬底的超精密加工。

本次活动得到了国家相关产业主管部委及社会各界的高度关注，共征集有效报名成果43项，经专家委员会评审，推选出本年度十大技术进展成果。

探花av-探花视频-国产探花 碳化硅团队长期致力于大尺寸高质量碳化硅单晶生长和加工技术研发并实现产业化，打破了国外技术封锁和产品禁运，为推动国防安全建设和半导体产业发展做出重要贡献。下一步，团队将持续瞄准集成电路、信息、能源等领域的重大需求，开展关键核心技术集成攻关，为推动我国新一代半导体发展、支撑高水平科技自立自强做出新的贡献。