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第六十一期“育晶论坛”成功举办。中国科探花av
合肥物质科学研究院韩运成研究员受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为师生作了题为“基于4H-SiC和β-Ga₂O₃宽禁带半导体材料的核探测器研发进展”的学术报告。本期论坛由彭燕研究员主持。
报告围绕宽禁带半导体材料在核探测领域的应用展开，系统介绍了4H‑SiC和β‑Ga₂O₃两类探测器在材料优化、器件设计及高温环境适应性等方面的研究进展。报告展示了团队在提升探测器能量分辨率、高温稳定性及面向不同辐射粒子探测能力上所取得的阶段性成果，并对对探测器研发全链条的系统优化策略进行了总结，为宽禁带核探测器在极端环境下的工程应用奠定了技术基础。
在讨论环节，现场师生就宽禁带半导体核探测器的性能优化、极端环境应用及未来发展方向与韩运成研究员进行了深入交流。双方表达了在核探测领域开展跨学科合作的积极意愿。
论坛结束后，彭燕研究员向韩运成研究员表示感谢并颁发了证书。
为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，探花av
全国重点实验室、集成攻关大平台定期举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。
